FQP19N10參數：MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：QFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：19A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 9.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：780pF @ 25V功率 - 最大值：75W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220
