FQP19N20C參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：19A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：170毫歐@9.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：53nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1080pF@25V功率-最大值：139W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220
