FQA9N90C
PDF資料下載

FQA9N90C參數(shù)：MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：450
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：900V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.4歐姆@4.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：58nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2730pF@25V
功率-最大值：280W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-3P