FGA60N65SMD參數：IGBT 650V 120A TO-3P
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：-包裝：管件IGBT 類型：場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.5V @ 15V，60A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：120ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：180A功率 - 最大值：600WSwitching Energy：1.99mJ輸入類型：標準Gate Charge：87nCTd (on/off) A 25°C：18ns/104nsTest Condition：400V, 60A, 3 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr)：47ns封裝：TO-3P-3，SC-65-3安裝類型：通孔供應商器件封裝：TO-3P
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