FDS2672參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：UltraFET™包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：70毫歐@3.9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：46nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2535pF@100V功率-最大值：1W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
