FDN359BN
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FDN359BN參數：MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2.7A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 2.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：650pF @ 15V
功率 - 最大值：460mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：3-SSOT