FDD6612A
PDF資料下載

FDD6612A參數：MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.4nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：660pF@15V
功率-最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：TO-252-3