FDD18N20LZ
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FDD18N20LZ參數：MOSFET N-CH 200V DPAK-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：UniFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：16A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1575pF @ 25V
功率 - 最大值：89W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak