FDC6506P
PDF資料下載

FDC6506P參數(shù)：MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.8A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：170毫歐@1.8A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：3.5nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：190pF@15V
功率-最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT