FCP190N60E
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FCP190N60E參數：MOSFET N-CH 600V TO220-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： FCP190N60E/FCP380N60ESuperFET?II
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
標準包裝：400
系列：SuperFETII®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：20.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：190毫歐@10A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：82nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3175pF@25V
功率-最大值：208W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220