FCA20N60S_F109參數(shù)：MOSFET N-CH 650V TO-3PN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：SuperFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：20A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：260毫歐@10A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：72nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2250pF@25V功率-最大值：260W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應(yīng)商器件封裝：TO-3PN
