FC6546010R
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FC6546010R參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI6-F3

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 歐姆 @ 10mA，4V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12pF @ 3V
功率 - 最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：SMini6-F3-B