DMN6066SSD-13
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DMN6066SSD-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：66毫歐@4.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.3nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：502pF@30V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP