DMN21D2UFB-7B
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DMN21D2UFB-7B參數：MOSFET N CH 20V 3DFN

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：760mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：990 毫歐 @ 100mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.93nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：27.6pF @ 16V
功率 - 最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-XFDFN
供應商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）