DI9945T參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它圖紙： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：剪切帶(CT)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：100毫歐@3.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：30nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：435pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
