DDTD114TC-7-F參數：TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3
類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式PCNDesign/Specification： GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire11/Nov/2011標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)晶體管類型：NPN-預偏壓電流-集電極(Ic)（最大值）：500mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V電阻器-基底(R1)(Ω)：10k電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：-不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：100@50mA，5V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@2.5mA，50mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：200MHz功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23-3
