BSZ12DN20NS3G參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11.3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 5.7A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 25µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：8.7nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：680pF @ 100V功率 - 最大值：50W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
