BSZ086P03NS3E G
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BSZ086P03NS3E G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：57.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4785pF @ 15V
功率 - 最大值：69W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）