BSZ042N06NS參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：19A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 30V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
