BSS119E6327參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：170mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：6歐姆@170mA，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.3V@50µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：2.5nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：78pF@25V功率-最大值：360mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
