BSO615C G
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BSO615C G參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3.1A，2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8