BSO215C
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BSO215C參數：MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品變化通告： BSO215CDiscontinuation16/Mar/2004
標準包裝：2,500
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@3.7A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@10µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：246pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO