BSC026N02KS G參數：MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.6 毫歐 @ 50A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：52.7nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7800pF @ 10V功率 - 最大值：78W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
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