BS7067N06LS3G參數：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：20A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.7 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 35µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：62nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4800pF @ 30V功率 - 最大值：78W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
