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APTM50UM19SG參數：MOSFET N-CH 500V 163A J3
類別：半導體模塊-FET標準包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：163A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 81.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：492nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：22400pF @ 25V功率 - 最大值：1136W安裝類型：底座安裝封裝：J3 模塊供應商器件封裝：模塊
