APTM20DHM10G
PDF資料下載

APTM20DHM10G參數(shù)：MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：2 N 溝道（非對(duì)稱橋）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：175A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 87.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：224nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13700pF @ 25V
功率 - 最大值：694W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP6
供應(yīng)商器件封裝：SP6