APTGT75DA120D1G
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APTGT75DA120D1G參數：IGBT 1200V 110A 357W D1

類別：半導體模塊-IGBT
標準包裝：1
系列：-
IGBT 類型：溝道和場截止
配置：單一
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.1V @ 15V，75A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：110A
電流 - 集電極截止（最大值）：4mA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：5345nF @ 25V
功率 - 最大值：357W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：D1
供應商器件封裝：D1