APT34N80B2C3G
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APT34N80B2C3G參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： T-MAXFront
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：800V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：34A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：145毫歐@22A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@2mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：355nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4510pF@25V
功率-最大值：417W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3變式
供應(yīng)商器件封裝：T-MAX?[B2]