ALD212900ASAL
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ALD212900ASAL參數(shù)：MOSFET N CH 10.6V 79A 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：Zero Threshold™ EPAD®
包裝：管件
FET 類型：2 N 溝道（雙）配對(duì)
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：10.6V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：79mA， 85µA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：14 歐姆
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：10mV @ 20µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：30pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC