ALD114835SCL
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ALD114835SCL參數：MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：48
系列：EPAD® Depletion
包裝：管件
FET 類型：4 N 溝道，配對
FET 功能：耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss)：10.6V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：540 歐姆 @ 0V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.45V @ 1µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：16-SOIC