ALD1103SBL
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ALD1103SBL參數(shù)：COMPLEMENTARY MOSFET 2N-CH/2P-CH

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
系列：-
包裝：管件
FET 類型：2 N 和 2 P 溝道（雙）配對(duì)
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：10.6V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：25mA， 8mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：75 歐姆 @ 5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 10µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：10pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：14-SOIC